[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-2] 第一原理計算を用いたIGZO結晶領域の安定性に関する解析

〇中山 智則¹、高橋 正弘¹、金川 朋賢¹、生内 俊光¹、岡崎 健一¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、第一原理計算

第一原理計算により結晶領域を持つIGZOモデルを以下の方法で作成し、その安定性について解析を行った。初期構造として、中心に結晶領域、その周囲にアモルファス領域を配置した構造を用い、結晶領域部分を固定した量子分子動力学計算を行った後、全体の構造最適化を行った。結晶領域を含むIGZOモデルはアモルファスIGZOモデルよりエネルギーが低くなっており、結晶領域の存在が安定化に寄与することが示唆された。