[9p-W521-1~16] 17.2 グラフェン

[9p-W521-8] 六方晶窒硼素のグラフェンへのキャリア蓄積に対する電界遮蔽効果

〇岡田 晋¹ (1.筑波大数理)

キーワード：グラフェン、六方晶窒硼素、FET

本公演では六方晶窒硼素薄膜のグラフェンへの電界効果キャリア蓄積に対する耐絶縁性に関して、密度は関数理論を用いて解析したものである。計算の結果、電界遮蔽効果には電子／正孔に対して非対称性があることが明らかになった。