[9p-W541-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　ナノ物性評価技術の進展と物性制御

[9p-W541-7] AlGaNドーピング技術と紫外光デバイスへの応用

〇岩谷 素顕¹、川瀬 雄太¹、佐藤 恒輔^1,2、安江 信次¹、荻野 雄矢¹、岩山 章¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤崎 勇^1,3 (1.名城大理工、2.旭化成（株）、3.名大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化物半導体、AlGaN、特異構造

AlGaN系紫外レーザにおいて、高い電流密度のデバイスを実現するのは、最も重要な課題である。
本発表では、窒化物半導体特異構造を用いたp型AlGaN層の検討結果について詳細な議論を行う。また、AlGaN結晶の高品質化も低閾値レーザを実現する上では非常に重要である。特に、Al組成が0.5程度の中間組成域のAlGaNの高品質化は非常に難しいことが知られているが、それに3次元特異構造を活用することが有用でありそれに関しても議論する。