09:00 〜 09:15 △ [11a-Z23-1] 高温アニールおよび熱酸化処理による高純度半絶縁性4H-SiC基板のフェルミ 準位の変化 〇具 燦淳1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)