13:00 〜 13:15 △ [9p-Z13-2] Si基板上表面照射型InGaAs PhotoFETの近赤外域分光感度特性 〇(M1)大石 和明1,2、石井 裕之2、張 文馨2、石井 寛仁1,2、遠藤 聡1、藤代 博記1、前田 辰郎1,2 (1.東理大、2.産総研)