13:00 〜 13:15
〇伊藤 佑太1、渡邉 浩崇2、安藤 悠人1、田中 敦之2,3、出来 真斗4、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大工、2.名大IMaSS、3.物材機構、4.名大VBL、5.名大ARC)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
13:00 〜 13:15
〇伊藤 佑太1、渡邉 浩崇2、安藤 悠人1、田中 敦之2,3、出来 真斗4、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大工、2.名大IMaSS、3.物材機構、4.名大VBL、5.名大ARC)
13:15 〜 13:30
〇万 澤欣1、高月 大輝1、林 家弘2、梁 剣波1、東脇 正高2、重川 直輝1 (1.大阪市立大工、2.情通機構)
13:30 〜 13:45
〇Sandeep Kumar1、Takafumi Kamimura1、Chia-Hung Lin1、Yoshiaki Nakata1、Masataka Higashiwaki1 (1.NICT)
13:45 〜 14:00
〇奥村 宏典1 (1.筑波大)
14:00 〜 14:15
〇奥村 宏典1、加藤 勇次2、大島 孝仁2、Palacios Tomas3 (1.筑波大、2.佐賀大、3.MIT大)
14:15 〜 14:30
〇ManHoi Wong1、Hisashi Murakami2、Yoshinao Kumagai2、Masataka Higashiwaki1 (1.NICT、2.Tokyo Univ. Agricul. Technol.)
14:30 〜 14:45
〇上村 崇史1、中田 義昭1、東脇 正高1 (1.情通機構)
15:00 〜 15:15
〇伊藤 和幸1、織田 達広1、菊地 拓雄1、北原 義之1、藪原 秀彦1、西口 俊史2、加藤 浩朗2、下村 紗矢2、西脇 達也2 (1.東芝、2.東芝デバイス&ストレージ)
15:15 〜 15:30
〇(D)Niloy Chandra Saha1、Toshiyuki Oishi1、Seongwoo Kim2、Yuki Kawamata2、Koji Koyama2、Makoto Kasu1 (1.Saga Univ.、2.Adamant Namiki Precision Jewel Co., Ltd.)
15:30 〜 15:45
〇(D)Te Bi1、Wenxi Fei1、Masayuki Iwataki1、Aoi Morishita1、Atsushi Hiraiwa1、Hiroshi Kawarada1,2 (1.Waseda Univ.、2.Kagami Memorial Research Inst. for Materials Science and Tech.)
15:45 〜 16:00
〇星 拓也1、白鳥 悠太1、杉山 弘樹1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)
16:00 〜 16:15
〇大野 裕1、梁 剣波2、吉田 秀人3、清水 康雄1、永井 康介1、重川 直輝2 (1.東北大金研、2.大阪市大、3.阪大産研)
16:15 〜 16:30
〇井手 利英1,2、清水 三聡1、高田 徳幸2 (1.産総研 GaN-OIL、2.産総研 電子光)
16:30 〜 16:45
〇岡本 研正1、中野 逸夫2、松下 文夫1、細川 正美3 (1.香川大学、2.岡山大学、3.光半導体素子応用技研)
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