[10a-Z03-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[10a-Z03-8] 低圧RFAr/CH₄プラズマCVDによるDLC成膜過程に及ぼす投入電力の影響に関する数値解析

〇(M1)石井 晃一¹、小川 慎¹、小田 昭紀¹ (1.千葉工大)

キーワード：低圧プラズマ, プラズマCVD, ダイヤモンドライクカーボン

ダイヤモンドライクカーボン（DLC）膜は高硬度，耐摩耗性などを有することから様々な分野で用いられている。DLC成膜にはCH₄やC₂H₂などの炭化水素ガスを用いたプラズマCVDが多く利用されている。CH₄を用いて成膜する際に膜硬度の上昇をさせる方法として，Arガスの添加および投入電力の増加が有効であるとされている。
そこで本研究では，低圧容量結合型Ar/CH₄プラズマCVDによるDLC 成膜における投入電力依存性に関して解析したので報告する。