[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-Z04-1] 界面顕微光応答法による表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の評価

〇塩島 謙次¹、田中 亮²、高島 信也²、上野 勝典²、江戸 雅晴² (1.福井大院工、2.富士電機)

キーワード：GaN, ショットキー電極, 界面顕微光応答法

n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を界面顕微光応答法で2次元評価した。光電流像における均一性は溶液処理A試料で変化がなく、無処理試料でわずかに不均一な分布がみられた。しかし、溶液処理B試料の約半数の電極では著しいI-V特性の劣化、および光電流像の不均一が観測された。