[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-Z04-3] GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性

〇高橋 英匡¹、安藤 裕二¹、山口 椋平³、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：半導体, 窒化ガリウム, HEMT

レクテナの大電力高効率化に向けノーマリオフ型GaN HEMTを用いたゲーテッドアノード型ダイオード（GAD）を開発中である。ダイオードの順方向電流I_fと逆方向耐圧BV_rの相反する特性を両立するため、リセスゲート型のGaN GADを作製し、電気的特性のリセス長依存性を調べた結果、Wg=200μmのデバイスにて2 Wクラスの半波整流動作ができることを確認した。