[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-12] [第42回論文奨励賞受賞記念講演] Hot carrier effects in InGaZnO thin-film transistor

〇髙橋 崇典¹、宮永 良子¹、藤井 茉美¹、田中 淳²、竹知 和重²、田邉 浩²、Bermundo Juan Paolo¹、石河 泰明^1,3、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.Tianma Japan、3.青山学院大)

キーワード：酸化物半導体, 薄膜トランジスタ, 信頼性