2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年9月10日(木) 09:00 〜 12:15 Z20

古林 寛(高知工科大)、西中 浩之(京都工繊大)

11:00 〜 11:15

[10a-Z20-8] RFリアクティブマグネトロンスパッタ法を用いて成長させたNiOエピタキシャル薄膜のTEM観察

西本 啓介1、杉山 睦1,2 (1.東理大 理工、2.東理大 総研)

キーワード:酸化ニッケル, エピタキシャル, スパッタ