[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

△ [10a-Z24-5] スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

〇(PC)志村 礼司郎¹、三村 和仙¹、舘山 明紀¹、清水 荘雄¹、舟窪 浩¹ (1.東工大物院)

キーワード：強誘電体膜, 酸化ハフニウム, 圧電体膜