[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-9] 金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御

〇長谷川 遼介¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、牧原 克典¹、池田 弥央¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：結晶相制御, Hf酸化物

近年、強誘電性を有するHf系酸化物薄膜に注目が集まっている。強誘電性を示すorthorhombic(O)相は、Hf系酸化物を形成後、熱処理によるマルテンサイト変態の過程で現れる準安定相と考えられている。そのため、TiN等をHf系酸化物のキャップ層として用い、熱処理するプロセスが研究されている。一方で、酸素の拡散を伴うHfの酸化プロセスでは、どのような結晶相が得られるか、明らかとなっていない。本研究ではHfまたはZr/Hf金属を熱酸化する方法に着目し、酸化温度を変えることによって、ZrHf酸化物の結晶相制御を試みた。