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[10p-Z02-13] 顕微ラマンイメージングによる高温状態のn形GaN結晶の電子物性に関する研究
キーワード：光物性, 半導体
GaN結晶は低損失かつ高速スイッチング特性をもつ大電力用縦㌎型インバータ素子として開発されている。しかしながら、一般にワイドギャップ半導体は200℃以上の高温で動作させるため信頼性低下が指摘されている。本研究ではラマンイメージングを測定し、スペクトル解析により高温状態の低不純物濃度n形GaN結晶の電子密度を求め、高不純物濃度の場合と比較した.