[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10p-Z04-12] SiO₂/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成のアニール温度依存性

〇溝端 秀聡¹、和田 悠平¹、野﨑 幹人¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム (GaN), 金属-酸化物-半導体 (MOS), 水素ガスアニール (FGA)

SiO₂​/GaN MOS構造に水素ガスアニール(FGA)を施すと，SiO₂/GaN界面に正の固定電荷が発生し，MOSのフラットバンド電圧(V_FB)が負バイアス側へ大きくシフトする。本研究では，アニール温度依存性からその物理的起源について考察した。負のV_FBシフトが生じ始めるFGA温度から，正の固定電荷の物理的起源は酸化ガリウム界面層に生じた酸素空孔であることが示唆された。