[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-2] 横型GaN FinFETの構造最適化についての検討

〇(B)久恒 悠介¹、金 相佑¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：FinFET, オン抵抗, 耐圧

立体チャネルを有するGaN FinFETは、従来のAlGaN/GaN HEMTより優れた特性が期待できる。パワーデバイス応用を想定してオン抵抗（RonA）対耐圧（V_BD）特性の観点で、FinFETのフィールドプレート構造、チャネル不純物濃度、ドリフト領域長などの依存性と最適化についてデバイスシミュレーションで議論した。