2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2020年9月10日(木) 13:00 〜 17:30 Z04

佐藤 威友(北大)、久保 俊晴(名工大)

13:15 〜 13:30

[10p-Z04-2] 横型GaN FinFETの構造最適化についての検討

〇(B)久恒 悠介1、金 相佑1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大)

キーワード:FinFET, オン抵抗, 耐圧

立体チャネルを有するGaN FinFETは、従来のAlGaN/GaN HEMTより優れた特性が期待できる。パワーデバイス応用を想定してオン抵抗(RonA)対耐圧(VBD)特性の観点で、FinFETのフィールドプレート構造、チャネル不純物濃度、ドリフト領域長などの依存性と最適化についてデバイスシミュレーションで議論した。