[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-11] シリコンにおける光注入価電子正孔系の超高速緩和現象

〇佐藤 悠介¹、金崎 順一¹、山本 勇²、東 純平² (1.大阪市大院工、2.佐賀大シンクロトロン光応用センター)

キーワード：半導体, キャリアダイナミクス, 時間角度分解光電子分光

時間分解二光電子差分分光により、シリコンのバルク価電子帯に光注入された正孔系の密度分布をエネルギー・運動量・時間の多次元空間においてイメージ化し、その動的挙動に関する直接的知見を得た。表面近傍に注入された正孔系の密度変化は、バンド内におけるエネルギー緩和過程(時定数800fs)に起因する急激な減衰成分と、拡散(時定数180ps)過程に起因する緩やかな減衰成分により決定されることを明らかにした。