[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-4] フッ硝酸を用いたSiエッチングにおけるソーマーク段差平坦化メカニズムの解明 (2)

〇深谷 天¹、竹尾 建治¹、鹿浜 康寛¹、西尾 賢哉¹、平野 智暉¹、齋藤 卓¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：Siエッチング, フッ硝酸, ソーマーク

Si基板バックグラインド後のソーマーク段差平坦化には、フッ硝酸Siエッチングプロセスが用いられる。これまでの研究で、段差部の液滞留による局所的なエッチングレート差が平坦化現象に対して影響を与えていることを明らかにした。しかし、エッチング中に生じる段差形状の変化が、平坦化挙動に及ぼす影響については検証されていない。本研究では、エッチングに伴う段差形状の変化を詳細に観察し、平坦化メカニズムの考察を行った。