[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-5] ステップ端に選択吸着させたAg原子を援用したSi (111)表面上への溝構造の形成

〇(M1)馬 智達¹、増本 晴文¹、川合 健太郎¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：ウェットエッチング, ナノ溝, Si表面

我々は、三種類のウェットエッチングを複合的に用い、Si表面にナノメートル幅の溝構造を自己組織的に作製する試みを進めている。まず、Si (111)表面に異方性エッチングを施し、ステップ／テラス構造を作製する。次に、エッジ部へ選択的にAg原子を吸着させる。続いて、これをテンプレートとして金属アシストエッチングを施し、ナノ溝構造を形成する。今回は、各プロセス後のSi表面の構造を調査した結果を報告する。