[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-5] 三フッ化塩素ガスを用いた炭化珪素CVD装置高速クリーニング法

〇林 優也¹、間明田 巧¹、羽深 等¹、石黒 暁夫²、石井 成明²、醍醐 佳明²、伊藤 英樹²、水島 一郎²、高橋 至直³ (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード：クリーニング, SiC, ドライエッチング

SiCのCVDでは、試料台に堆積するSiC膜の剥離による微粒子発生などが問題となる。そこで堆積膜をクリーニングする技術が開発されている。これまでに、三フッ化塩素ガスを用いる方法が提案され、試料台の保護膜として熱分解炭素被膜（純化処理）を用い、500℃付近の温度域でクリーニングできることが確認されている。本報では熱分解炭素（純化処理）被膜上にSiC膜を形成し、これを10分間以内に除去できる三フッ化塩素ガス濃度を調査した。