[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-5] InAlN/(AlN)/GaN構造におけるキャリア移動度の温度依存性

〇木村 安希¹、星井 拓也¹、宮野 清孝²、津久井 雅之²、水島 一郎^1,2、依田 孝^1,2、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.ニューフレアテクノロジー)

キーワード：InAlN/GaN, 2DEG, 移動度