[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-8] サファイア基板上へのスパッタ法を用いたh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上

〇(M2)形岡 遼志¹、小泉 晴比古²、岩山 章¹、三宅 秀人^1,3 (1.三重大院地域イノベ、2.三重大地創戦略企、3.三重大院工)

キーワード：Ⅲ族窒化物結晶, スパッタリング, 六方晶窒化ホウ素

六方晶窒化ホウ素(h-BN)は二次元材料であることから、基板とⅢ族窒化物材料の間で剥離や歪み緩和層としての機能が期待できる。本研究室では、サファイア基板上に RF スパッタリング法を用いて堆積させた AlN に対してface-to-face 高温アニール(FFA)を施すことで高い結晶性を達成している。そこで本研究では、サファイア基板上に RF スパッタリングを用いて h-BN を堆積させ、FFA 処理を施すことで高い結晶性の h-BN の形成を目指した。