[11p-Z03-1~2] 8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

[11p-Z03-2] [プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演] 高アスペクトホールエッチングにおけるstriationの発生メカニズム

〇大村 光広¹、橋本 惇一¹、足立 昂拓¹、近藤 祐介¹、石川 勝朗¹、阿部 淳子¹、酒井 伊都子¹、林 久貴¹、関根 誠²、堀 勝² (1.キオクシア、2.名大工)

キーワード：ドライエッチング, 高アスペクト比, ストライエーション

高アスペクトホール加工において、絶縁膜側壁に発生するstriationの形成メカニズムを、イオン照射とフルオロカーボン(CF)ラジカルの役割に着目して研究した。マスク側壁が平滑であるにも関わらずstriationが観察されたため他の要因を調査し、striationはホール側壁のCF膜に発生した後、孔径の拡大を伴って絶縁膜に水平転写するメカニズムを見出した。また、発生領域はアスペクト比に依存した。