[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-11] Ir/Ta₂O₅スパッタ膜の熱刺激電流測定 (II)

〇三沢 源人¹、島 久¹、内藤 泰久¹、秋永 広幸¹ (1.産総研DTech)

キーワード：酸化タンタル, 熱刺激電流, トラップ準位

Ta₂O₅は誘電体として広く用いられてきたが、抵抗変化素子としても多様な利用法が実用に供されつつある。エレクトロニクスデバイスとして用いる際に、トラップ準位を定量的に評価することは重要である。デバイス動作の理解やモデリングのためにはこの情報が欠かせない。我々は、光励起による熱刺激電流TSCを、複数の昇温速度で測定し、Ta₂O₅スパッタ膜についてトラップ深さを求められることを報告した。今回は、その詳細な解析結果を報告する。