[11p-Z23-1~20] 16.3 シリコン系太陽電池

[11p-Z23-4] 多結晶シリコン組織の結晶方位の統計解析

〇(P)小島 拓人¹、松本 哲也¹、工藤 博章¹、宇佐美 徳隆² (1.名大院情報、2.名大院工)

キーワード：多結晶シリコン, 結晶方位解析, 対応粒界

双晶起因の多結晶組織について ，逐次的な双晶形成による方位関係を示す 回転操作 に対して結晶方位情報を参照することによりその発生関係を 解析する手法の開発を進めている．結晶粒間の方位関係を統計的に解析した結果を報告する．結晶粒間の方位関係をΣ3ⁿ回転操作に帰着し，残差を統計解析した．残差の角度は結晶成長とともに大きくなり，微小な変形が成長とともに増加することを示唆する．粒間の方位関係の統計的解析から，インゴットスケールのマクロ特性が得られる可能性が示された．