[11p-Z29-1~16] 17.3 層状物質

[11p-Z29-12] 縦軸方向に成長させたMoS₂ 薄膜を用いた終端のコンタクト抵抗評価

〇金 胄男^1,2、高江洲 貴斗¹、船津 岳伸¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大/総研)

キーワード：MoS2, コンタクト抵抗, 化学気相堆積

層状構造を持つMoS₂ は一層の厚さが数nm にも関わらず優れた電気・化学特性を持つため、Si
の代替電子材料として注目されている。近年ではMoS₂ 終端の表面エネルギーが平面のそれより高いことが報告され、電気化学分野の触媒やバッテリーなどへの応用が期待されている[1]。MoS₂ 終端の面積を増やす方法として、縦軸方向に成長させたMoS₂ 薄膜（T-MoS₂）に関する報告[2]はあるが、終端のコンタクト抵抗などの電気特性に関する報告は少ない。本研究では、化学気相堆積法によるT-MoS₂の成膜及び終端のコンタクト抵抗など、デバイスへの応用に必要なT-MoS₂ の電気特性を検討した。