[8a-Z09-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [8a-Z09-4] X線非弾性散乱法によるBulk SiGe低エネルギー側フォノンスペクトルのフォノン分散曲線評価

〇横川 凌^1,2、竹内 悠希¹、荒井 康智³、米永 一郎⁴、Sylvia Yuk Yee Chung⁵、富田 基裕⁵、内山 裕士⁶、渡邉 孝信⁵、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート、3.JAXA、4.東北大学、5.早稲田大理工、6.JASRI)

キーワード：SiGe, フォノン分散, X線非弾性散乱

SiGeは低熱伝導率を有することから、熱電発電デバイスへの応用が期待されている。熱伝導率低下のメカニズムを解明するうえでフォノン分散の理解が極めて重要となるがフォノン散乱機構は複雑であり不明瞭な点が多い。我々はX線非弾性散乱法を用いて、SiGeフォノン分散の低エネルギー側に新たなフォノンスペクトルを発見し、フォノン分散および熱伝導率の関係について詳細に検討したので、その結果について報告する。