[8a-Z17-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

△ [8a-Z17-3] Si基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の正・逆圧電特性評価

〇譚 ゴオン¹、Eun-Ji Kim²、Sang-Hyo Kweon³、神野 伊策³ (1.大阪府大、2.Korea Univ.、3.神戸大工)

キーワード：エピタキシャル圧電薄膜, 圧電特性, 結晶構造解析

Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT)薄膜は強誘電体の中で特に圧電特性が優れており、様々な圧電デバイスに応用されている。デバイスの性能指数を上げるためには、圧電定数が大きく、かつ誘電率の低い圧電薄膜が必要である。本研究ではMEMS加工の標準であるSi基板上に、誘電率の低いエピタキシャルPZT薄膜を作製し、逆圧電および正圧電効果における圧電特性の評価を行った。講演では、結晶構造解析と合わせて議論する。