[8p-Z05-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [8p-Z05-7] αパラメータ変調によるSi基板上コアレッセント・ダイヤモンド薄膜の合成

〇(M2)上岡 弘弥¹、萩原 大智¹、一色 秀夫¹ (1.電通大院情報理工)

キーワード：結晶成長

ダイヤモンドはワイドバンドギャップ高い 移動度がといった優れた電気特性のため次世代パワーデバイスへの応用が期待されている。Si基板上にダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長することで、低コスト化及び制御系Si-LSIとダイヤモンドハイパワーデバイスによるインテリジェントパワーモジュールの実現を目指す。本研究ではマイクロモザイク成長実現のため、ステップフロー成長による単結晶膜の合成を目的として、高密度高配向核の形成及び横方向成長による短時間成長での高配向膜の作製を目指した。