[8p-Z06-1~9] 第3世代異種材料接合と膜成長自在制御：界面ナノ・キベルネテス（舵手）

[8p-Z06-3] エピタキシャルリフトオフ法を⽤いた薄膜太陽電池の作製

〇宮下 直也¹、岡田 至崇¹ (1.東大先端研)

キーワード：半導体, エピタキシャルリフトオフ, 太陽電池

III-V系半導体のエピタキシャル成長には一般的に単結晶半導体基板が用いられる。成膜したデバイス層を半導体基板から分離することで軽量化、フレキシブル化といった新たな機能を付加することができる。また、分離した後の半導体基板を再び結晶成長に利用することでトータルの製造コストの削減にも寄与することも可能となる。このような分離技術として種々のアプローチが提案されている。本シンポジウムでは、エピタキシャルリフトオフ法を用いたIII-V系薄膜太陽電池の作製の取り組みを中心に講演する。