[8p-Z14-1~10] 15.1 バルク結晶成長

[8p-Z14-10] 熱CVD法によるモリブデン坩堝上へのイリジウム成膜とその評価

〇佐藤 浩樹^1,2,3,4、後藤 孝¹、奥野 敦^2,3、横田 有為⁴、鎌田 圭^1,4、黒澤 俊介^1,4、大橋 雄二^1,4、豊田 智史^1,4、吉野 将生⁴、山路 晃広^1,4、花田 貴⁴、吉川 彰^1,4 (1.東北大NICHe、2.(株)三幸、3.(株)TUP、4.東北大金研)

キーワード：CVD, イリジウム, 引上法

本研究では、単結晶引上法等の坩堝材として用いられるIr量低減を目的に、熱CVD法によるモリブデン等の高融点金属元素坩堝へのイリジウム成膜技術検討を行った。イリジウム有機金属原料を用いたCVD成膜において、雰囲気や圧力、成膜温度により膜組成が大きく変化することが分かったが、検討の結果、膜中のイリジウム量を増大させるための最適値を得ることに成功した。