[8p-Z14-1~10] 15.1 バルク結晶成長

[8p-Z14-3] GaN基板用直径8インチ金属Ni単結晶作成

〇高橋 和也¹、安藤 宏孝¹、熊谷 毅¹、藤井 高志¹、川又 透²、杉山 和正²、松岡 隆志³、福田 承生¹ (1.㈱福田結晶研、2.東北大金研、3.東北大 NICHe)

キーワード：Ni単結晶, 金属単結晶, 結晶成長

我々はこれまでCZ法による直径4インチ、6インチサイズの金属Ni単結晶作成を行ってきた。最近になって、(111) Ni膜基板上にMOCVDによるh-BNの形成、更にh-BN層上へのGaN薄膜作成も報告され、GaNパワーデバイスの進展が期待されている。今回、CZ法によるNi単結晶について、大口径化、および高品質化を狙い、エピタキシャル成長用基板の検討を行った。講演では、作成した結晶の不純物や欠陥について評価した結果等を報告する。