[8p-Z27-1~17] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[8p-Z27-15] 直流電流の印加によってデータの書き換えが可能な単一磁束量子メモリセルの小型化

〇(M2)細谷 岳哉¹、山梨 裕希¹、吉川 信行¹ (1.横国大院理工)

キーワード：単一磁束量子回路, メモリセル, ルックアップテーブル

超伝導単一磁束量子回路は高速動作性、低消費電力性といった特徴を持ち次世代の集積回路技術として注目されている。単一磁束量子回路を用いたルックアップテーブルの設計ではメモリ部分の内部配線は複雑となり回路面積の増大につながる。そこで外部からの電流によってメモリの内部状態の制御が可能な、磁気結合入力機構を持つ従来よりも小型なメモリセルを設計を行った。