[9a-Z04-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

[9a-Z04-9] InAs/GaAs 量子ドット組成混晶化構造における QCSE の理論検討

〇(M1)伊藤 大誠¹、平石 優¹、權 晋寛²、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット, 組成混晶化

Si基板上1300nm帯InAs/GaAs量子ドット(QD)レーザが、低閾値電流、低消費電力、温度安定性に優れている点からデータセンタ用光源として有望とされている。我々は変調器の集積化のために、GaAs 基板上 1300nm 帯 QDのバンドギャップの制御を行う組成混晶化技術(Quantum Dot Intermixing : QDI)を検討してきた。今回は、変調器への適用指針検討のため、摂動論を用いて QD そして放物線型ポテンシャルの QDI における量子閉じ込めシュタルク効果(Quantum Stark Confined Effect : QCSE)の理論検討を行ったので報告する。