[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-2] デバイス応用に向けたα-Ga₂O₃二重ELO膜の平坦化

〇河原 克明¹、大島 祐一²、沖川 満¹、四戸 孝¹ (1.FLOSFIA、2.NIMS)

キーワード：酸化ガリウム, Ga2O3, ELO

α-Ga₂O₃は次世代パワーデバイス半導体材料として有望であり、エピタキシャル横方向成長（ELO）技術により貫通転位密度を大幅に低減（<5×10⁶ cm^–3）可能である。既往の研究では二重ELOにより、マスク開口部直上においても貫通転位の低減に成功した（<5×10⁶ cm^–3）。本研究ではデバイス応用に向けマスクパターン等を改良することにより二重ELO膜の凹凸を低減し表面平坦化を実現した。