[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-5] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (5)

〇(M1)佐藤 陽平¹、中田 耕輔¹、宮下 周大¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大学工)

キーワード：酸化亜鉛, 透明導電膜, 分子線エピキタシー

II-VI族化合物半導体であるZnOは、3.4 eVと広いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。また、キャリア密度が高いため、抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるPAMBD法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO (GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回の発表では、PET基板に形成したGZO透明導電膜の成長条件、構造特性、光学的および電気的特性を詳細に調査した結果について報告する。