2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2020年9月9日(水) 12:30 〜 18:00 Z01

石川 史太郎(愛媛大)、山根 啓輔(豊橋技科大)

15:15 〜 15:30

[9p-Z01-10] 自己触媒法InPナノワイヤ中の硫黄ドーピング濃度のNanoSIMS測定

章 国強1,2、舘野 功太1,2、俵 毅彦1,2、後藤 秀樹1 (1.NTT物性研、2.NTTナノフォトセンタ)

キーワード:半導体, ナノワイヤ, ドーパント

Vapor-liquid-solid (VLS) grown wires have become key components of various devices. To maximize potential capability of electrical and optical device performance, knowledge of dopant control information is of utmost important. Here we report controllable S dopant concentration in VLS grown InP wires revealed by using NanoSIMS.