[9p-Z02-1~6] 透明結晶の機能性と科学　～深紫外光源で創生されるエコシステム～

[9p-Z02-1] 高品質AlN結晶の作製とその紫外線デバイス応用

〇三宅 秀人^1,2、正直 花奈子²、肖 世玉¹、上杉 謙次郎^3,1、小泉 晴比古³、窪谷 茂幸³ (1.三重大 院地域イノベ、2.三重大 院工、3.三重大 地創戦略企)

キーワード：窒化物半導体, AlN, アニール

AlN 膜をRFスパッタ法により成膜(Sp-AlN)して、Face-to-Face配置の高温アニールにより、簡便に低転位密度のAlN膜が作製可能である。Sp-AlNの高温アニールによる結晶性良化メカニズムを明らかにしてきた。AlNのスパッタ堆積条件およびアニール条件の最適化により、貫通転位密度が4 × 10⁷ cm⁻²を実現した。AlGaN系のLEDにおいても転位密度は発光効率に大きく影響している。