[9p-Z26-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[9p-Z26-13] 反射率測定法によるSOIナノワイヤFETセンサの高速化に関する理論的考察

〇西口 克彦¹、藤原 聡¹ (1.NTT物性研)

キーワード：シリコンFET, センサ

我々は、微細FETを電荷センサとして用いることで、単一電子を室温で検出することに成功しており、2つのLC回路と組み合わせた反射率測定法によって数百MHzの高速動作を実現している。しかし、SOI基板で構成するFETを用いる場合、ベースのSi基板を考慮に入れて回路設計をする必要があり、また2つのLC回路を用いるときの回路設計指標も明確ではなかった。本報告では、SOI基板FETで反射率測定法を用いるための技術的な指標を示す。