[9p-Z26-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[9p-Z26-7] 原子層堆積法を援用した斜め蒸着法による単一電子素子の作製

〇(M2)小池 威廣¹、今野 寛己¹、水柿 義直¹、島田 宏¹、三浦 正範²、鹿又 健作²、廣瀬 文彦² (1.電通大基盤理工、2.山形大院理工)

キーワード：原子層堆積法, 微小トンネル接合, 単一電子トランジスタ

電子線リソグラフィを用いた金属微小トンネル接合の作製プロセスとして二層レジスト斜め蒸着法が一般的に用いられている。本研究では、電極材料の選択性を拡張するために、トンネル障壁形成にin situの室温原子層堆積(ALD)法を導入した斜め蒸着プロセスを開発した。ALD機構は、圧空バルブや専用制御回路を導入し、自動制御できるようにした。この素子形成装置を用いてNi/Al/Ni-SET素子を作製し、帯電効果を含む非線形伝導とクーロン振動を観測した。