16:15 〜 16:30 [12p-B401-12] N極性GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の低減 〇(M1)毛利 匡裕1、早坂 明泰1、眞壁 勇夫2、吉田 成輝2、後藤 高寛1、宮本 恭幸1 (1.東工大工、2.住友電気工業)