[12a-B410-1~8] 3.7 レーザープロセシング

[12a-B410-6] パルスレーザーメルティング法（PLM）によって 硫黄を過飽和ド－プしたSi 結晶の少数キャリア濃度

〇川本 兼司¹、青木 珠緒¹、梅津 郁朗¹ (1.甲南大)

キーワード：パルスレーザーメルティング、太陽電池、過飽和ドープ