11:00 〜 11:15
[12a-D215-6] GaAs/GaAsBiコアーシェルナノワイヤ成長におけるBiフラックスの影響
キーワード:半導体、GaAsBi、ナノワイヤ
分子線エピタキシー法により作成したGaAsBiをシェル層に有するGaAs系コアシェル型ナノワイヤの成長を試み,その構造特性について表面走査型電子顕微鏡(SEM)で観察やX線回折(XRD)により評価した結果について報告する.
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
11:00 〜 11:15
キーワード:半導体、GaAsBi、ナノワイヤ