[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-D419-1] a-InGaZnO TFTを用いたK・Naイオン濃度の高感度センシング

〇竹知 和重¹、岩松 新之輔²、村上 穣²、田邉 浩¹、渡部 善幸² (1.Tianma Japan(株)、2.山形県工技セ)

キーワード：酸化物半導体TFT、センサ、イオン濃度

a-InGaZnO TFTの延長トップゲート電極の先端にイオン感応膜を付与し、被検液に溶存するKイオンやNaイオンの濃度変化に対する信号電圧の変化を測定した。また、従来の市販イオン電極型センサでも同様な測定を行い、これらの結果を比較した。その結果、イオン濃度の変化に対して、市販センサよりも1桁高い信号電圧の変化がTFTセンサで得られ、高感度センシングのポテンシャルを確認した。