[12a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-D419-6] Low temperature fabrication of high mobility hydrogenated InGaZnOx thin film transistors-II

〇(M2)Shuhei Hamada¹, Daichi Koretomo¹, Yusaku Magari¹, Mamoru Furuta¹ (1.Kochi Univ. of Tech.)

Keywords:thin-film transistors, oxide semiconductors, low-temperature process

フレキシブルデバイスでは用いられる基板の耐熱性から低温での薄膜トランジスタ(TFT)作製が求められる。我々は、スパッタ成膜時にAr、O2ガスに加えH2ガスを用いた水素化InGaZnOx(IGZO:H)により作製温度150℃以下でのTFT動作を報告している[1]。本研究では更なる高移動度化を目的に、In組成比を増加させた水素化IGZO（high-In IGZO:H）を用いて150℃以下でのTFT作製を行った。またスパッタ雰囲気における酸素流量比（RO2）および水素流量比（RH2）がTFT特性ならびに信頼性に及ぼす影響を検討した。