[12a-D519-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-D519-2] 印刷と焼成によるシリコン系混晶半導体のエピタキシャル成長のその場観察

〇福田 啓介¹、中原 正博²、深見 昌吾¹、宮本 聡¹、ダムリン マルワン²、前田 健作³、藤原 航三³、宇佐美 徳隆¹ (1.名古屋大工、2.東洋アルミ、3.東北大金研)

キーワード：半導体、シリコン系薄膜、エピタキシャル成長

SiGeは多接合型太陽電池のボトムセルとして注目されており、SiSnはSnの固溶により直接遷移化が見込め、光学的特性の面からも注目されている。
Si基板上にAl-Geペースト、Al-Snペーストをスクリーン印刷し、焼成により得られたSiGe及びSiSn混晶の薄膜形成に対する結晶成長の様子をその場観察し、焼成における昇温・冷却過程でのAl混合ペースト界面での溶融・共晶反応を実時間で検証する。