[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-46] Ni窒化物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンデバイス特性向上

〇立石 翔太¹、市川 和典¹、赤松 浩² (1.松江高専、2.神戸高専)

キーワード：グラフェン、ヘテロ接合

これまでの結果からNiを用いた半導体とグラフェンのヘテロ接合は純Ni上に比べて、よりデバイスの高性能化が可能であることが分かった。そこで本研究では我々の研究室で研究を推進しているNi窒化物半導体上へのグラフェン合成することでヘテロ接合を形成し、TFTの特性向上を行った。