[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-51] 4層グラフェン/hBN構造を持つ量子ドットの電気伝導特性

〇加藤 拓¹、伊藤 博仁¹、岩﨑 拓哉²、渡邊 賢司²、谷口 尚²、森山 悟士²、羽田野 剛司¹ (1.日大工、2.物材機構)

キーワード：グラフェン、量子ドット

多層グラフェンは単層・2層グラフェンとは異なるバンド構造を持ち、単層グラフェンよりも長いスピン緩和長を持つことからスピントロニクス材料として有望である。しかしSiO₂/Si基板上に転写したグラフェンを用いたデバイスは基板表面のラフネスや不純物の影響を受けるため、明瞭な電子輸送特性を得ることが困難である。そこで我々は4層グラフェン/hBN構造を用いて単一量子ドットを作製し、その電気伝導特性を測定したので報告する。