[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-59] 分子線エピタキシー法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドのヘテロ構造の作製

〇村井 雄也¹、重川 秀実²、吉田 昭二²、落合 太一²、北浦 良¹ (1.名大理、2.筑波大工)

キーワード：分子線エピタキシー法、遷移金属ダイカルコゲナイド

本研究は、異なる物質を周期的に接合させる超格子の概念を二次元へと拡張した新たな人工二次元結晶”二次元超格子”を生み出すことを目的に、その構築法の確立を試みた。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)法を用い、二次元物質である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)のヘテロ構造を作製した。具体的にはMoSe₂とNbSe₂を交互に成長させ、その様子を走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて観測を行った。